사진 출처 : 삼성전자 제공[이승준 기자] 삼성전자가 '3나노'(나노미터) 공정을 통한 반도체 양산을 세계 최초로 시작했다.

삼성전자는 30일 'GAA'(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 밝혔다.

삼성이 이번에 세계 최초로 적용한 'GAA' 기술은 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트로 둘러싸는 형태이다.

삼성전자는 채널의 3개면 만을 감싸는 기준 '핀펫' 구조와 비교해 GAA 기술의 경우 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높을 수 있는 차세대 기술이라고 강조했다.

GAA 기술을 적용한 3나노 공정 기반 양산은 전 세계 파운드리 업체 가운데 삼성전자가 최초이다.

삼성은 고성능 컴퓨팅용 시스템반도체 생산을 시작으로, 향후 모바일 'SoC'(System on Chip, 한 개의 칩에 완전 구동이 가능한 제품과 시스템이 들어 있는 것) 생산도 3나노 공정을 적용할 방침이라고 설명했다.

삼성은 또 GAA 기술을 적용한 3나노 공정에서 설계 공정 기술의 공동 최적화를 통해 기존에 비해 전력은 45% 절감되고, 성능은 23% 향상된 제품을 내놓았다고 밝혔다.

삼성은 향후 GAA 2세대 공정을 통해서는 전력과 성능을 보다 향상시키고, 제품 면적은 축소할 계획이라고 덧붙였다.